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IXFP34N65X3-HXY

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描述: 该碳化硅场效应管（MOSFET）为N沟道类型，最大漏极电流ID为30A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为94mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高频开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时在高温或高频率工作条件下仍能保持稳定性能。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: IXFP34N65X3-HXY
商品编号: C53134089
商品封装: TO-220C
包装方式: 管装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

参数完善中