SPP15N65C3XKSA1-HXY

SPP15N65C3XKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为260mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和开关性能，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于对体积与散热要求较高的紧凑型电力电子装置中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SPP15N65C3XKSA1-HXY

商品编号

C53133828

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.18克(g)