R6515KNX3C16-HXY

R6515KNX3C16-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为260mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率、高频率的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，适合用于对体积与热管理有较高要求的电力电子装置中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

R6515KNX3C16-HXY

商品编号

C53133836

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.18克(g)