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IPW65R050CFD7AXKSA1-HXY
IPW65R050CFD7AXKSA1-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为55A，漏源击穿电压达650V，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具备快速开关能力与较低的导通损耗，适用于高效率、高频率的电源转换场合。其结构支持在高温或高电场环境下稳定运行，适合用于对体积和能效有较高要求的电力电子系统。
- 商品型号
- IPW65R050CFD7AXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133852
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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