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NVHL050N65S3HF-HXY
NVHL050N65S3HF-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和45mΩ的导通电阻，栅源电压范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗与导通损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于高效率、高功率密度的电源转换场合，可在紧凑型设计中实现优异的电气性能与可靠性。
- 商品型号
- NVHL050N65S3HF-HXY
- 商品编号
- C53133855
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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