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SQW61N65EF-GE3-HXY
SQW61N65EF-GE3-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为55A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为45mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的开关与导通损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源系统。其宽栅压范围提升了驱动电路的设计灵活性，并有助于增强开关过程的可靠性与稳定性。
- 商品型号
- SQW61N65EF-GE3-HXY
- 商品编号
- C53133857
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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