STWA63N65DM2-HXY

STWA63N65DM2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻典型值为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与低导通损耗特性，适用于高频、高效率的功率转换场合。其较低的RDS(ON)有助于减少导通阶段的能量损耗，而宽VGS范围则提升了与不同驱动电路的兼容性，确保在复杂开关条件下稳定运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STWA63N65DM2-HXY

商品编号

C53133858

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)