温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
NTHL050N65S3HF-HXY
NTHL050N65S3HF-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻典型值为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，具有优异的高频特性和高温稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景。其低导通电阻有助于降低导通损耗，提升系统整体能效，同时宽栅压范围增强了驱动兼容性与可靠性。
- 商品型号
- NTHL050N65S3HF-HXY
- 商品编号
- C53133853
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- NVHL050N65S3F-HXY
- NVHL050N65S3HF-HXY
- SIHW61N65EF-GE3-HXY
- SQW61N65EF-GE3-HXY
- STWA63N65DM2-HXY
- STWA65N65DM2AG-HXY
- FCH041N65EF-F155-HXY
- FCH041N65F-F155-HXY
- IPW60R045P7XKSA1-HXY
- IPW65R037C6FKSA1-HXY
- IPW65R040CM8XKSA1-HXY
- IPW65R041CFD7XKSA1-HXY
- IPW65R041CFDFKSA1-HXY
- IPW65R041CFDFKSA2-HXY
- NTHL040N65S3F-HXY
- NTHLD040N65S3HF-HXY
- STWA68N65DM6AG-HXY
- STWA75N65DM6-HXY
- IPD65R420CFDBTMA1-HXY
- STD11N60DM2-HXY
- STD13N65M2-HXY