STP18N65M2-HXY

STP18N65M2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(ON)）为260mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于对效率和功率密度要求较高的电源系统，如服务器电源、可再生能源转换装置及高频DC-DC变换器等场合。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STP18N65M2-HXY

商品编号

C53133837

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.23克(g)