IPP65R310CFDXKSA1-HXY

IPP65R310CFDXKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(on)）为260mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高耐压特性，适用于高频电源转换、服务器电源、光伏逆变器及各类高效能电力电子系统。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时有助于简化栅极驱动电路设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPP65R310CFDXKSA1-HXY

商品编号

C53133835

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.18克(g)