SPP15N60C3XKSA1-HXY

SPP15N60C3XKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为650V，连续漏极电流（ID）达9A，导通电阻（RDS(ON)）为260mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高耐压能力，适用于高频、高效率的电源转换系统。其电气特性支持在紧凑布局中实现良好的热管理与稳定运行，可满足对能效和响应速度有较高要求的电力电子应用需求。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SPP15N60C3XKSA1-HXY

商品编号

C53133829

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.15克(g)