IPP65R310CFDAAKSA1-HXY

IPP65R310CFDAAKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(on)）为260mΩ，栅源电压范围为-8V至+20V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频特性和高温稳定性，适用于高效率电源转换、开关电源及高频逆变等场景。其低导通损耗与快速开关能力有助于提升系统整体能效，同时减少散热设计复杂度。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPP65R310CFDAAKSA1-HXY

商品编号

C53133834

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.2克(g)