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STP20NM60A-HXY
STP20NM60A-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有9A的连续漏极电流与650V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为260mΩ，在栅源电压范围-8V至+20V内稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温特性和开关性能，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升系统整体能效，同时简化散热设计。
- 商品型号
- STP20NM60A-HXY
- 商品编号
- C53133831
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.26克(g)
商品参数
参数完善中
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