IPP65R310CFDXKSA2-HXY

IPP65R310CFDXKSA2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、9A的连续漏极电流（ID）以及260mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅源电压（VGS）范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关操作中表现出较低的导通与开关损耗，同时具备良好的热稳定性。适用于对效率、功率密度和动态响应有较高要求的电源管理与能量转换系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPP65R310CFDXKSA2-HXY

商品编号

C53133833

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.17克(g)