AOT15S65L
AOT15S65L
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为9A,漏源击穿电压达650V,导通电阻为260mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料特性,器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类紧凑型电力电子装置中,有助于提升整体能效并减小系统体积。
- 商品型号
- AOT15S65L
- 商品编号
- C53133832
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.27克(g)
商品参数
参数完善中
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