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AOT15S65L

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描述
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为9A,漏源击穿电压达650V,导通电阻为260mΩ,栅源驱动电压范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料特性,器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗,适用于高效率电源转换、可再生能源系统及各类紧凑型电力电子装置中,有助于提升整体能效并减小系统体积。
商品型号
AOT15S65L
商品编号
C53133832
商品封装
TO-220C​
包装方式
管装
商品毛重
3.27克(g)

商品参数

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参数完善中

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