SPP15N65C3HKSA1-HXY

SPP15N65C3HKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、9A的连续漏极电流（ID）以及260mΩ的导通电阻（RDS(ON)），栅源驱动电压范围为-8V至+20V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合。其电气参数支持在紧凑型设计中实现稳定可靠的运行。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

SPP15N65C3HKSA1-HXY

商品编号

C53133830

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.12克(g)