IPP65R280E6XKSA1-HXY

IPP65R280E6XKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的漏极电流ID为9A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)为260mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。基于碳化硅材料的特性，该器件在高频开关应用中展现出优异的效率与热稳定性，适用于高功率密度电源、光伏逆变系统、不间断电源以及各类高效电能转换设备。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPP65R280E6XKSA1-HXY

商品编号

C53133827

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.15克(g)