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IPP60R280CFD7XKSA1-HXY
IPP60R280CFD7XKSA1-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有9A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压和高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于对能效和热管理要求较高的电源转换系统，如服务器电源、光伏逆变器及高效率AC/DC变换器等场合。
- 商品型号
- IPP60R280CFD7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133826
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.22克(g)
商品参数
参数完善中
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