STP19NM65N-HXY

STP19NM65N-HXY

描述

该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为9A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为260mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至+20V。器件基于碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和开关性能要求较高的电力转换场景，可在高频工作条件下保持稳定输出，适合用于电源管理、可再生能源系统及高密度功率变换等应用领域。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STP19NM65N-HXY

商品编号

C53133825

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.15克(g)