STP20NM65N-HXY

STP20NM65N-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、9A的连续漏极电流（ID）以及260mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源电压（VGS）工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关条件下表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、可再生能源接入设备及对热性能和空间布局要求较高的电力电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STP20NM65N-HXY

商品编号

C53133824

商品封装

TO-220C​

包装方式

管装

商品毛重

3.27克(g)