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C3M0025065D-HXY
C3M0025065D-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET支持99A的连续漏极电流，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，适合用于对动态响应和热管理要求较高的电力电子应用中。
- 商品型号
- C3M0025065D-HXY
- 商品编号
- C53133789
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.8克(g)
商品参数
参数完善中
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