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STWA88N65M5-HXY
碳化硅功率N沟道增强型MOSFET，采用宽带隙技术，具有低导通电阻、低电容、低反向恢复等特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为99A，漏源电压额定值为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料特性，具备快速开关能力与低导通损耗，在高频率操作下仍能维持高效能表现。适用于对转换效率和热性能要求较高的电源系统，如高频开关变换器、可再生能源并网设备及高密度电能转换装置等应用场合。
- 商品型号
- STWA88N65M5-HXY
- 商品编号
- C53133801
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
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