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IMW65R033M2HXKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流ID为99A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件凭借低导通电阻和高耐压能力，适用于高效率、高开关频率的电力电子系统，如数据中心电源、通信设备供电模块及太阳能逆变装置，在高频运行条件下可有效降低损耗并提升系统整体能效。
- 商品型号
- IMW65R033M2HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133793
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.92克(g)
商品参数
参数完善中
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