IPW60R031CFD7XKSA1-HXY
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构,最大漏极电流ID达99A,漏源击穿电压VDSS为650V,导通电阻RDS(ON)低至26mΩ,栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材料的高热导率与高击穿电场特性,在高频、高效率电力转换场景中表现出优异的动态性能与热稳定性,适用于对开关速度和能效要求较高的电源系统。
- 商品型号
- IPW60R031CFD7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133794
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.96克(g)
商品参数
参数完善中
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