IXFX100N65X2-HXY

IXFX100N65X2-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为99A，漏源击穿电压（VDSS）达650V，导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与高开关速度特性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高频电力电子设备，在提升系统整体能效和功率密度方面具有显著优势。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IXFX100N65X2-HXY

商品编号

C53133797

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.06克(g)