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SICW025N065H-BP-HXY
SICW025N065H-BP-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗和优异的开关性能，在高频率运行条件下仍能保持较低的温升。适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源转换系统，如高频开关电源、可再生能源逆变器及高效电能变换设备等场景。
- 商品型号
- SICW025N065H-BP-HXY
- 商品编号
- C53133800
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.02克(g)
商品参数
参数完善中
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