温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SICW025N065H-BP-HXY
SiC功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，具有低导通电阻、低电容、高速开关和低反向恢复特性，无卤且符合RoHs标准
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅材料，具备低导通损耗和优异的开关性能，在高频率运行条件下仍能保持较低的温升。适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源转换系统，如高频开关电源、可再生能源逆变器及高效电能变换设备等场景。
- 商品型号
- SICW025N065H-BP-HXY
- 商品编号
- C53133800
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.02克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
相似推荐
其他推荐
- STWA88N65M5-HXY
- UF3C065030K3S-HXY
- UJ3C065030K3S-HXY
- IPZA65R029CFD7XKSA1-HXY
- STW88N65M5-4-HXY
- IMZA65R033M2HXKSA1-HXY
- SICW025N065H4-BP-HXY
- IXSH100N65L2KHV-HXY
- C3M0025065K-HXY
- AMR027V065H2-HXY
- AAR027V065H2-HXY
- IPZA65R035CFD7AXKSA1-HXY
- UF3C065030K4S-HXY
- MSJUFR05N65-HXY
- STP5NK65ZFP-HXY
- SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
- STL16N65M5-HXY
- IPL65R310E6AUMA1-HXY
- SPA15N65C3XKSA1-HXY
- IPA65R310CFDXKSA2-HXY
- IPA65R310CFDXKSA1-HXY