NTHL033N65S3HF-HXY

NTHL033N65S3HF-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(on)）为26mΩ，栅源驱动电压范围（VGS）为-10V至+25V。其结构利用碳化硅材料特性，支持高频开关操作并降低导通与开关损耗，适用于高效率电源、可再生能源转换系统以及对热性能和能效要求较高的电力电子应用。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTHL033N65S3HF-HXY

商品编号

C53133798

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.23克(g)