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FCH029N65S3-F155-HXY
FCH029N65S3-F155-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高热导率与宽带隙特性，在高频开关操作中展现出低损耗与高效率。适用于对功率密度和热性能要求较高的电源转换场合，可在紧凑布局下维持稳定运行，并支持快速开关响应，提升系统整体能效表现。
- 商品型号
- FCH029N65S3-F155-HXY
- 商品编号
- C53133790
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.01克(g)
商品参数
参数完善中
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