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IMW65R027M1HXKSA1-HXY
IMW65R027M1HXKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。其宽电压驱动能力有助于提升开关可靠性，低导通电阻可有效降低导通损耗。器件适用于高效率、高频率的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源发电设备中的功率变换环节，在高温或高频工况下仍能维持稳定电气特性。
- 商品型号
- IMW65R027M1HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133792
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.9克(g)
商品参数
参数完善中
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