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IMW65R027M1HXKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、高速开关、低反向恢复
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。其宽电压驱动能力有助于提升开关可靠性，低导通电阻可有效降低导通损耗。器件适用于高效率、高频率的电源转换系统，如服务器电源、通信电源及可再生能源发电设备中的功率变换环节，在高温或高频工况下仍能维持稳定电气特性。
- 商品型号
- IMW65R027M1HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133792
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.9克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
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