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IMW65R026M2HXKSA1-HXY
IMW65R026M2HXKSA1-HXY
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID达99A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换场景，可在高频开关条件下保持稳定性能，适合用于各类电源管理、可再生能源系统及高效能电能变换装置中。
- 商品型号
- IMW65R026M2HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133791
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.91克(g)
商品参数
参数完善中
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