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IXFH18N65X2-HXY
IXFH18N65X2-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备25A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为800V，导通电阻为165mΩ，栅源电压工作范围为-8V至+20V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强与热导率，在高频、高压条件下表现出较低的导通损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源、可再生能源逆变系统以及对体积和能效有较高要求的电力电子设备。
- 商品型号
- IXFH18N65X2-HXY
- 商品编号
- C53133759
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.33克(g)
商品参数
参数完善中
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