STF11N65K3-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，采用宽带隙SiC MOSFET技术，低导通电阻、低电容、低反向恢复

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和5.1A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为820mΩ。其栅源电压范围为-8V至+20V，适用于需要高耐压与中等电流能力的电力电子场合。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和开关性能，在高频、高效率的电源转换系统中可实现更低的导通与开关损耗。由于其宽电压驱动能力，便于与多种驱动电路兼容，适合对能效和热管理有较高要求的应用场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STF11N65K3-HXY

商品编号

C53133760

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

2.97克(g)