温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMW65R020M2HXKSA1-HXY
IMW65R020M2HXKSA1-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID达108A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材料的优异特性，在高频、高效率电力转换场景中表现出色，适用于对开关速度与能效要求较高的电源系统，可有效降低导通与开关损耗，提升整体运行效率与热管理性能。
- 商品型号
- IMW65R020M2HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133765
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.75克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- IPW65R022CFD7AXKSA1-HXY
- FCH023N65S3-F155-HXY
- NTHL023N065M3S-HXY
- STWA65N023M9-HXY
- IPW60R024P7XKSA1-HXY
- IPW60R024CFD7XKSA1-HXY
- NVHL025N65S3-HXY
- IPW65R025CM8XKSA1-HXY
- FCH023N65S3L4-HXY
- IMZA65R026M2HXKSA1-HXY
- UJ3C065030T3S-HXY
- UF3C065030T3S-HXY
- IPP65R041CFD7XKSA1-HXY
- IPP65R045C7XKSA1-HXY
- C3M0025065D-HXY
- FCH029N65S3-F155-HXY
- IMW65R026M2HXKSA1-HXY
- IMW65R027M1HXKSA1-HXY
- IMW65R033M2HXKSA1-HXY
- IPW60R031CFD7XKSA1-HXY
- IPW65R029CFD7XKSA1-HXY