温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMW65R020M2HXKSA1-HXY
碳化硅功率N沟道增强型MOSFET，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和高速开关特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID达108A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材料的优异特性，在高频、高效率电力转换场景中表现出色，适用于对开关速度与能效要求较高的电源系统，可有效降低导通与开关损耗，提升整体运行效率与热管理性能。
- 商品型号
- IMW65R020M2HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133765
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | 独立式 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 耗散功率(Pd) | 341W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.935nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 221pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@18V |
商品特性
- 宽禁带 SiC MOSFET 技术
- 具备高阻断电压的低导通电阻
- 支持高速开关的低电容
- 低反向恢复电荷
- 无卤素，符合 RoHS 标准
应用领域
- 开关电源
- 可再生能源
- 车载充电器
- 高压DC/DC转换器
- NTHL023N065M3S-HXY
- STWA65N023M9-HXY
- IPP65R041CFD7XKSA1-HXY
- C3M0025065D-HXY
- IMW65R026M2HXKSA1-HXY
- IMW65R027M1HXKSA1-HXY
- IMW65R033M2HXKSA1-HXY
- IPW60R031CFD7XKSA1-HXY
- IPW65R029CFD7XKSA1-HXY
- UJ3C065030K3S-HXY
- MSJUFR05N65-HXY
- STP5NK65ZFP-HXY
- SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
- IPL65R310E6AUMA1-HXY
- SPA15N65C3XKSA1-HXY
- IPA65R310CFDXKSA2-HXY
- SPP15N60CFDHKSA1-HXY
- NTMT064N65S3H-HXY
- IMT65R050M2HXUMA1-HXY
- NTHL040N65S3HF-HXY
- IXTY2N65X2-HXY
- NTHL023N065M3S-HXY
- STWA65N023M9-HXY
- IPP65R041CFD7XKSA1-HXY
- C3M0025065D-HXY
- IMW65R026M2HXKSA1-HXY
- IMW65R027M1HXKSA1-HXY
- IMW65R033M2HXKSA1-HXY
- IPW60R031CFD7XKSA1-HXY
- IPW65R029CFD7XKSA1-HXY
- UJ3C065030K3S-HXY
- MSJUFR05N65-HXY
- STP5NK65ZFP-HXY
- SIHH14N65EF-T1-GE3-HXY
- IPL65R310E6AUMA1-HXY
- SPA15N65C3XKSA1-HXY
- IPA65R310CFDXKSA2-HXY
- SPP15N60CFDHKSA1-HXY
- NTMT064N65S3H-HXY
- IMT65R050M2HXUMA1-HXY
- NTHL040N65S3HF-HXY
- IXTY2N65X2-HXY