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IMW65R020M2HXKSA1-HXY
碳化硅功率N沟道增强型MOSFET，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和高速开关特性
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- 描述
- 该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID达108A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件凭借碳化硅材料的优异特性，在高频、高效率电力转换场景中表现出色，适用于对开关速度与能效要求较高的电源系统，可有效降低导通与开关损耗，提升整体运行效率与热管理性能。
- 商品型号
- IMW65R020M2HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133765
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.75克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 耗散功率(Pd) | 341W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.935nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 221pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 24mΩ |
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