NTBL023N065M3S-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至26mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源驱动电压范围为-10V至+25V（VGS），确保在多种驱动条件下稳定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出优异的动态性能与热稳定性，适合对体积、效率及散热有较高要求的电力电子系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NTBL023N065M3S-HXY

商品编号

C53133782

商品封装

TOLLS​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)