C3M0025065L-TR-HXY

C3M0025065L-TR-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流（ID）为99A，漏源击穿电压（VDSS）达650V，导通电阻（RDS(ON)）为26mΩ，栅源电压（VGS）工作范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，在高频开关应用中展现出低导通损耗与优异的热性能，适用于高效率、高功率密度的电源系统，如服务器电源、可再生能源转换装置及高频DC-DC变换器等场景。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

C3M0025065L-TR-HXY

商品编号

C53133784

商品封装

TOLLS​

包装方式

编带

商品毛重

1克(g)