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UF3C065030T3S-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，宽带隙技术，低导通电阻、电容和反向恢复，无卤且符合RoHS标准
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET支持105A的连续漏极电流，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置以及对热管理要求较高的电力电子应用场合。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时提升了系统设计的灵活性。
- 商品型号
- UF3C065030T3S-HXY
- 商品编号
- C53133786
- 商品封装
- TO-220C
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.97克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 类型 | - | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | 105A | |
| 耗散功率(Pd) | 375W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
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