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FCH023N65S3L4-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET支持108A的连续漏极电流，漏源电压额定值为750V，导通电阻低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高电压、大电流条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，并具备良好的高温工作能力。适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源转换、可再生能源接入及高频电力电子系统。
- 商品型号
- FCH023N65S3L4-HXY
- 商品编号
- C53133775
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.35克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 耗散功率(Pd) | 341W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.935nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 221pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ |
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