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IMZA65R026M2HXKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的漏极电流额定值，漏源电压耐受能力为750V，导通电阻典型值为20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件基于碳化硅工艺，具备低开关损耗与高效率特性，适用于高频、高功率密度的电源转换系统。其宽栅压范围增强了驱动电路的适应性，同时低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效表现。
- 商品型号
- IMZA65R026M2HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133777
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.29克(g)
商品参数
参数完善中
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