温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
G3F25MT06L-TR-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备99A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻典型值为26mΩ，可在-10V至+25V的栅源电压范围内可靠运行。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关操作中表现出较低的导通与开关损耗，适用于对效率、热性能及紧凑布局有较高要求的电源转换系统。其电气参数组合有助于简化驱动设计并提升整体系统稳定性。
- 商品型号
- G3F25MT06L-TR-HXY
- 商品编号
- C53133780
- 商品封装
- TOLLS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
相似推荐
其他推荐
- IMT65R033M2HXUMA1-HXY
- NTBL023N065M3S-HXY
- IPT65R033G7XTMA1-HXY
- C3M0025065L-TR-HXY
- UJ3C065030T3S-HXY
- UF3C065030T3S-HXY
- IPP65R041CFD7XKSA1-HXY
- IPP65R045C7XKSA1-HXY
- C3M0025065D-HXY
- FCH029N65S3-F155-HXY
- IMW65R026M2HXKSA1-HXY
- IMW65R027M1HXKSA1-HXY
- IMW65R033M2HXKSA1-HXY
- IPW60R031CFD7XKSA1-HXY
- IPW65R029CFD7XKSA1-HXY
- IXFH90N65X3-HXY
- IXFX100N65X2-HXY
- NTHL033N65S3HF-HXY
- NVHL023N065M3S-HXY
- SICW025N065H-BP-HXY
- STWA88N65M5-HXY