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IMT65R026M2HXUMA1-HXY
IMT65R026M2HXUMA1-HXY
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源电压范围为-10V至+25V，确保在多种驱动条件下稳定工作。器件凭借碳化硅材料的优异特性，在高频、高温环境下仍能保持较低的开关损耗与导通损耗，适合对能效和热管理要求较高的电力电子系统。
- 商品型号
- IMT65R026M2HXUMA1-HXY
- 商品编号
- C53133779
- 商品封装
- TOLLS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
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