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IMT65R026M2HXUMA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、高速开关和低反向恢复特性
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源电压范围为-10V至+25V，确保在多种驱动条件下稳定工作。器件凭借碳化硅材料的优异特性，在高频、高温环境下仍能保持较低的开关损耗与导通损耗，适合对能效和热管理要求较高的电力电子系统。
- 商品型号
- IMT65R026M2HXUMA1-HXY
- 商品编号
- C53133779
- 商品封装
- TOLLS
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 99A | |
| 耗散功率(Pd) | 333W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 74.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.543nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 173pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ |
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