IPZA65R025CM8XKSA1-HXY

IPZA65R025CM8XKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为108A，漏源击穿电压为750V，导通电阻为20mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的电源转换场合。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时低RDS(on)有助于降低导通功耗，支持高功率密度设计。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPZA65R025CM8XKSA1-HXY

商品编号

C53133778

商品封装

TO-247H-4L​

包装方式

管装

商品毛重

9.62克(g)