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FCH023N65S3-F155-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至20mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。其结构利用碳化硅材料特性，在高频开关操作中展现出较低的导通损耗与开关损耗，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对热管理与空间布局要求较高的电力电子应用。
- 商品型号
- FCH023N65S3-F155-HXY
- 商品编号
- C53133767
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.97克(g)
商品参数
参数完善中
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