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IPW60R024CFD7XKSA1-HXY
IPW60R024CFD7XKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻低至20mΩ，在高功率密度应用中可显著降低导通损耗。栅源驱动电压范围为-10V至+25V，支持宽范围驱动信号，增强系统设计灵活性。得益于碳化硅材料的物理特性，器件在高频开关条件下仍能维持高效能与良好热稳定性，适用于对效率、尺寸及散热性能有严苛要求的电源转换场合。
- 商品型号
- IPW60R024CFD7XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133771
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 8.02克(g)
商品参数
参数完善中
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