NVHL025N65S3-HXY

NVHL025N65S3-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为20mΩ，适用于高效率、高频率的功率开关应用。其栅源电压范围为-10V至+25V，具备良好的驱动兼容性与抗干扰能力。碳化硅材料的引入使器件在高温、高压及高频工作条件下仍能保持优异的电气性能和热稳定性，适合用于对体积紧凑性与能量转换效率要求较高的电源系统。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

NVHL025N65S3-HXY

商品编号

C53133772

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.89克(g)