温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPW65R025CM8XKSA1-HXY
IPW65R025CM8XKSA1-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效，同时简化散热设计。
- 商品型号
- IPW65R025CM8XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133773
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.86克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- FCH023N65S3L4-HXY
- IMZA65R026M2HXKSA1-HXY
- UJ3C065030T3S-HXY
- UF3C065030T3S-HXY
- IPP65R041CFD7XKSA1-HXY
- IPP65R045C7XKSA1-HXY
- C3M0025065D-HXY
- FCH029N65S3-F155-HXY
- IMW65R026M2HXKSA1-HXY
- IMW65R027M1HXKSA1-HXY
- IMW65R033M2HXKSA1-HXY
- IPW60R031CFD7XKSA1-HXY
- IPW65R029CFD7XKSA1-HXY
- IXFH90N65X3-HXY
- IXFX100N65X2-HXY
- NTHL033N65S3HF-HXY
- NVHL023N065M3S-HXY
- SICW025N065H-BP-HXY
- STWA88N65M5-HXY
- UF3C065030K3S-HXY
- UJ3C065030K3S-HXY