温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPW65R025CM8XKSA1-HXY
碳化硅功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于对效率和功率密度要求较高的电源转换系统。其低导通损耗与快速开关特性有助于提升整体能效，同时简化散热设计。
- 商品型号
- IPW65R025CM8XKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133773
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.86克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 配置 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 108A | |
| 耗散功率(Pd) | 341W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 142nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.935nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 16.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 221pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ |
相似推荐
其他推荐
- IMZA65R020M2HXKSA1-HXY
- FCH023N65S3L4-HXY
- STW65N023M9-4-HXY
- IMZA65R026M2HXKSA1-HXY
- IPZA65R025CM8XKSA1-HXY
- IMT65R026M2HXUMA1-HXY
- G3F25MT06L-TR-HXY
- IMT65R033M2HXUMA1-HXY
- NTBL023N065M3S-HXY
- IPT65R033G7XTMA1-HXY
- C3M0025065L-TR-HXY
- UJ3C065030T3S-HXY
- UF3C065030T3S-HXY
- IPP65R041CFD7XKSA1-HXY
- IPP65R045C7XKSA1-HXY
- C3M0025065D-HXY
- FCH029N65S3-F155-HXY
- IMW65R026M2HXKSA1-HXY
- IMW65R027M1HXKSA1-HXY
- IMW65R033M2HXKSA1-HXY
- IPW60R031CFD7XKSA1-HXY