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IMZA65R020M2HXKSA1-HXY
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- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流，漏源击穿电压达750V，导通电阻为20mΩ，栅源电压工作范围为-10V至+25V。器件利用碳化硅材料的高击穿场强和低导通损耗特性，在高频开关应用中表现出优异的效率与热稳定性。适用于高功率密度电源、可再生能源转换系统及各类高效电力电子装置，能够有效降低系统能耗并提升整体性能表现。
- 商品型号
- IMZA65R020M2HXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133774
- 商品封装
- TO-247H-4L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 9.51克(g)
商品参数
参数完善中
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