IPW60R024P7XKSA1-HXY

IPW60R024P7XKSA1-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具有108A的连续漏极电流（ID）和650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至20mΩ，适用于高效率、高频率的功率转换场景。其栅源电压范围为-10V至+25V，具备良好的驱动兼容性与可靠性。器件利用碳化硅材料特性，在高温和高压条件下仍能保持稳定的电气性能，适合用于对体积、效率及热管理有较高要求的电源系统中。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

IPW60R024P7XKSA1-HXY

商品编号

C53133770

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

7.85克(g)