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STWA65N023M9-HXY

碳化硅功率MOSFET N沟道增强型，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容、低反向恢复特性

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描述: 该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流（ID）与650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，在高频开关条件下展现出优异的导通与开关性能，有效降低功率损耗。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子设备等场景，能够在较高结温下稳定工作，提升整体系统可靠性与能效表现。
品牌名称: HXY MOSFET(华轩阳电子)
商品型号: STWA65N023M9-HXY
商品编号: C53133769
商品封装: TO-247
包装方式: 管装
商品毛重: 8.21克(g)

商品参数

该产品采用宽禁带碳化硅MOSFET技术，在实现高阻断电压的同时具备低导通电阻，并具有低电容以实现高速开关性能，其反向恢复电荷较低。产品符合无卤素与RoHs标准。这些特性有助于降低开关损耗、提升系统开关频率、增加功率密度，并减少散热器需求。封装形式为TO-247。