STWA65N023M9-HXY

STWA65N023M9-HXY

描述

该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流（ID）与650V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。器件采用碳化硅材料，在高频开关条件下展现出优异的导通与开关性能，有效降低功率损耗。适用于高效率电源转换、可再生能源系统及高密度电力电子设备等场景，能够在较高结温下稳定工作，提升整体系统可靠性与能效表现。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

STWA65N023M9-HXY

商品编号

C53133769

商品封装

TO-247​

包装方式

管装

商品毛重

8.21克(g)