温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IPW65R022CFD7AXKSA1-HXY
IPW65R022CFD7AXKSA1-HXY
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 该N沟道碳化硅MOSFET具备108A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻仅为20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至+25V。得益于碳化硅材料的高击穿电场强度与优异热导率，该器件在高频开关条件下仍能维持较低的导通与开关损耗，适用于高效率、高功率密度的电源转换系统，尤其适合对体积、温升及能效有严格要求的应用场合。
- 商品型号
- IPW65R022CFD7AXKSA1-HXY
- 商品编号
- C53133766
- 商品封装
- TO-247
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.83克(g)
商品参数
参数完善中
相似推荐
其他推荐
- FCH023N65S3-F155-HXY
- NTHL023N065M3S-HXY
- STWA65N023M9-HXY
- IPW60R024P7XKSA1-HXY
- IPW60R024CFD7XKSA1-HXY
- NVHL025N65S3-HXY
- IPW65R025CM8XKSA1-HXY
- FCH023N65S3L4-HXY
- IMZA65R026M2HXKSA1-HXY
- UJ3C065030T3S-HXY
- UF3C065030T3S-HXY
- IPP65R041CFD7XKSA1-HXY
- IPP65R045C7XKSA1-HXY
- C3M0025065D-HXY
- FCH029N65S3-F155-HXY
- IMW65R026M2HXKSA1-HXY
- IMW65R027M1HXKSA1-HXY
- IMW65R033M2HXKSA1-HXY
- IPW60R031CFD7XKSA1-HXY
- IPW65R029CFD7XKSA1-HXY
- IXFH90N65X3-HXY