CDMSJ2204.7-650SL-HXY

SiC功率MOSFET N沟道增强模式，具备宽带隙技术、低导通电阻、低电容和低反向恢复特性

描述

该N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）具有650V的漏源击穿电压（VDSS），在25℃条件下可支持5.1A的连续漏极电流（ID）。其导通电阻（RDS(on)）典型值为820mΩ，在栅源电压（VGS）范围为-8V至+20V时能稳定工作。器件采用碳化硅材料，具备较高的耐压能力和较低的开关损耗，适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景，如服务器电源、通信电源及可再生能源系统中的功率变换模块。

品牌名称

HXY MOSFET(华轩阳电子)

商品型号

CDMSJ2204.7-650SL-HXY

商品编号

C53133762

商品封装

TO-220F​

包装方式

管装

商品毛重

1克(g)